光刻(ke)膠又(you)稱(cheng)光致(zhi)抗(kang)蝕(shi)劑，是(shi)壹種(zhong)對(dui)光敏(min)感(gan)的(de)混(hun)合(he)液體(ti)。其組(zu)成部分(fen)包括：光引發(fa)劑(ji)（包括光增感(gan)劑(ji)、光(guang)致(zhi)產酸(suan)劑(ji)）、光(guang)刻(ke)膠樹(shu)脂(zhi)、單(dan)體(ti)、溶(rong)劑和其(qi)他助(zhu)劑。光刻(ke)膠可以(yi)通過光(guang)化(hua)學(xue)反(fan)應，經曝光(guang)、顯(xian)影等光刻工序(xu)將(jiang)所需要(yao)的微(wei)細(xi)圖形(xing)從光罩(zhao)（掩(yan)模(mo)版）轉移到待加(jia)工基片(pian)上。依據使(shi)用場景(jing)，這裏(li)的(de)待加(jia)工基片(pian)可以(yi)是(shi)集成電路(lu)材(cai)料(liao)，顯(xian)示面(mian)板材(cai)料(liao)或(huo)者(zhe)印(yin)刷(shua)電路(lu)板。
在平(ping)板顯(xian)示行(xing)業：主要使(shi)用的光(guang)刻膠有(you)彩(cai)色(se)及黑色(se)光刻膠、LCD觸(chu)摸屏(ping)用光刻(ke)膠、TFT-LCD正性光刻(ke)膠等。在光刻和蝕(shi)刻生(sheng)產環(huan)節(jie)中(zhong)，光(guang)刻膠塗(tu)覆於(yu)晶體(ti)薄膜(mo)表(biao)面(mian)，經曝光(guang)、顯(xian)影和蝕(shi)刻等工序(xu)將(jiang)光(guang)罩(zhao)（掩(yan)膜版）上的圖形(xing)轉移到薄膜上，形(xing)成與掩(yan)膜版對(dui)應的幾(ji)何(he)圖形(xing)。
在PCB行(xing)業：主要使(shi)用的光(guang)刻膠有(you)幹(gan)膜(mo)光刻(ke)膠、濕膜光刻膠、感(gan)光(guang)阻(zu)焊(han)油(you)墨等。幹(gan)膜(mo)是用特殊(shu)的薄膜(mo)貼(tie)在處理後的敷(fu)銅(tong)板上，進行(xing)曝光(guang)顯(xian)影；濕膜和光(guang)成像阻(zu)焊(han)油(you)墨則是塗布在敷(fu)銅(tong)板上，待其(qi)幹(gan)燥(zao)後進行(xing)曝光(guang)顯(xian)影。幹(gan)膜(mo)與濕膜各有(you)優(you)勢(shi)，總(zong)體(ti)來說濕膜光刻膠分(fen)辨率(lv)高(gao)於(yu)幹(gan)膜(mo)，價格更(geng)低廉(lian)，正在對(dui)幹(gan)膜(mo)光刻(ke)膠的(de)部分(fen)市(shi)場進(jin)行(xing)替(ti)代。在半(ban)導體(ti)集成電路(lu)制造行(xing)業：主要使(shi)用g線(xian)光刻(ke)膠、i線(xian)光刻(ke)膠、KrF光刻(ke)膠、ArF光刻(ke)膠等。在大規模(mo)集成電路(lu)的制造過(guo)程中(zhong)，壹般要對(dui)矽(gui)片(pian)進行(xing)超(chao)過十次(ci)光(guang)刻。在(zai)每(mei)次(ci)的(de)光刻(ke)和刻(ke)蝕(shi)工藝(yi)中，光刻膠都要(yao)通過預(yu)烘、塗(tu)膠、前烘、對(dui)準、曝光(guang)、後烘、顯(xian)影和蝕(shi)刻等環節，將光(guang)罩(zhao)（掩(yan)膜版）上的圖形(xing)轉移到矽(gui)片(pian)上。
光刻(ke)膠是(shi)集成電路(lu)制造的(de)重要材(cai)料(liao)：光(guang)刻(ke)膠的(de)質量(liang)和性能是(shi)影響(xiang)集成電路(lu)性能、成品率及可靠性的關鍵(jian)因素。光(guang)刻(ke)工藝(yi)的成本約(yue)為整個(ge)芯片制造工藝(yi)的35%，並且(qie)耗費時間(jian)約(yue)占整個(ge)芯片工藝(yi)的40%~50%。光刻(ke)膠材(cai)料(liao)約(yue)占IC制造材(cai)料(liao)總(zong)成本的(de)4%，市(shi)場巨大。因此光刻(ke)膠是(shi)半(ban)導體(ti)集成電路(lu)制造的(de)核(he)心材(cai)料(liao)。按顯(xian)示效果(guo)分(fen)類，光(guang)刻膠可分(fen)為正性光刻(ke)膠和負(fu)性光刻(ke)膠。負(fu)性光刻(ke)膠顯(xian)影時(shi)形(xing)成的圖形(xing)與光(guang)罩(zhao)（掩(yan)膜版）相反(fan)；正性光刻(ke)膠形(xing)成的圖形(xing)與掩(yan)膜版相同。兩(liang)者(zhe)的(de)生(sheng)產工藝(yi)流程基本(ben)壹致，區別在於(yu)主要(yao)原(yuan)材(cai)料(liao)不(bu)同。按照(zhao)化(hua)學(xue)結(jie)構(gou)分(fen)類；光(guang)刻膠可以(yi)分(fen)為光(guang)聚合(he)型(xing)，光(guang)分(fen)解(jie)型(xing)，光(guang)交(jiao)聯(lian)型(xing)和化(hua)學(xue)放(fang)大(da)型(xing)。光(guang)聚(ju)合(he)型(xing)光(guang)刻(ke)膠采(cai)用烯類(lei)單(dan)體(ti)，在光(guang)作(zuo)用下生(sheng)成自(zi)由基，進(jin)壹步引發(fa)單(dan)體(ti)聚合(he)，最(zui)後生(sheng)成聚合(he)物。光分(fen)解(jie)型(xing)光(guang)刻(ke)膠，采(cai)用含有(you)重氮醌(kun)類(lei)化(hua)合(he)物(DQN)材(cai)料(liao)作(zuo)為(wei)感(gan)光(guang)劑(ji)，其(qi)經光照(zhao)後,發生(sheng)光分(fen)解(jie)反應，可以(yi)制成正性光刻(ke)膠；
在半(ban)導體(ti)集成電路(lu)光刻技(ji)術(shu)開(kai)始使(shi)用深紫外（DUV）光源(yuan)以(yi)後，化(hua)學(xue)放(fang)大(da)（CAR）技(ji)術(shu)逐(zhu)漸(jian)成為行(xing)業應用的主(zhu)流。在化(hua)學(xue)放(fang)大(da)光刻膠技(ji)術(shu)中(zhong)，樹(shu)脂(zhi)是具(ju)有(you)化(hua)學(xue)基團(tuan)保(bao)護(hu)因而(er)難以溶(rong)解(jie)的聚乙烯(xi)。化(hua)學(xue)放(fang)大(da)光刻膠使(shi)用光致(zhi)酸劑（PAG）作(zuo)為(wei)光(guang)引發(fa)劑(ji)。
按照(zhao)曝光(guang)波(bo)長分(fen)類，光(guang)刻膠可分(fen)為紫外光(guang)刻(ke)膠（300~450nm）、深紫外光(guang)刻(ke)膠（160~280nm）、極紫外光(guang)刻(ke)膠（EUV，13.5nm）、電子(zi)束(shu)光刻(ke)膠、離子束(shu)光刻(ke)膠、X射(she)線(xian)光刻(ke)膠等。不同曝光(guang)波(bo)長的光刻膠，其(qi)適用的光(guang)刻極限分(fen)辨率(lv)不(bu)同。通常來說，在(zai)使(shi)用工藝(yi)方法(fa)壹致的情況(kuang)下，波(bo)長越(yue)短，加(jia)工分(fen)辨率(lv)越(yue)佳(jia)。
可測(ce)量(liang)不同波(bo)長(chang)下的(de)折射(she)率(lv)與(yu)阿(e)貝數值，數字(zi)顯(xian)示，準(zhun)確清(qing)晰，活動(dong)光源(yuan)，可定(ding)做(zuo)濾光片(pian)，對(dui)薄膜的(de)XYZ軸有(you)特殊(shu)方法(fa)檢測(ce)！
ATAGO愛(ai)拓(tuo)半(ban)導體(ti)光刻(ke)膠折(zhe)射(she)率(lv)阿(e)貝(bei)折光儀(yi) DR-M2/M4（最(zui)大(da)1,100nm），可在(zai)波(bo)長(chang)450至1,100nm範(fan)圍(wei)內(nei)，使(shi)用不同的(de)波(bo)長測(ce)量(liang)折射(she)率(lv)（nD）和阿(e)貝數(shu)值(zhi)。測(ce)量(liang)結果(guo)通過調(tiao)整分(fen)界線(xian)至十(shi)字(zi)交(jiao)叉點確定(ding)，測(ce)量(liang)結果(guo)在LCD顯(xian)示屏(ping)以(yi)數字(zi)形(xing)式顯(xian)示，與(yu)傳(chuan)統型(xing)阿(e)貝(bei)折(zhe)射(she)儀(yi)相比，讀數更(geng)快(kuai)速更清晰(xi)。尤(you)其(qi)適合(he)高(gao)精度測(ce)量(liang)眼鏡(jing)片等聚酯材(cai)質的折(zhe)射(she)率(lv)。
ATAGO愛(ai)拓(tuo)半(ban)導體(ti)光刻(ke)膠折(zhe)射(she)率(lv)阿(e)貝(bei)折光儀(yi)，廣(guang)泛用於測(ce)量(liang)：濃(nong)縮(suo)果(guo)汁、香(xiang)精香料(liao)、工業溶(rong)液、化(hua)工材(cai)料(liao)、光(guang)學(xue)玻(bo)璃(li)、塑料(liao)薄(bo)膜(mo)、各種(zhong)新型(xing)材(cai)料(liao)及某些(xie)固(gu)體(ti)物質的折(zhe)射(she)率(lv)（nD）及Brix值。
